3C数码领域，常规而言整体市场趋势倾向于小型化，小体积。因此对MOSFET产品提出更高的要求，要求在同样体积的前提下，要求MOSFET的内阻做到尽可能低，因此我司推出全新的高密度工艺制成，在原来的体积上，同步降低15%的阻抗，以适应更多的市场需求。
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3C数码领域，常规而言整体市场趋势倾向于小型化，小体积。因此对MOSFET产品提出更高的要求，要求在同样体积的前提下，要求MOSFET的内阻做到尽可能低，因此我司推出全新的高密度工艺制成，在原来的体积上，同步降低15%的阻抗，以适应更多的市场需求。